产品介绍
电子束蒸发镀膜系统在真空条件下利用电子束准确地轰击坩埚内靶材，使靶材融化进而沉积在基片上，在基底上凝结形成薄膜，使用该设备可以镀出高纯度高精度的薄膜，可用来制备金属单质膜，半导体膜，有机膜等。
电子束加热蒸镀的特点是能获得极高的能量密度，最高可达109 W/cm2，加热温度可达3000～6000℃，可以蒸发难熔金属或化合物；被蒸发材料置于水冷的坩埚中，可避免坩埚材料的污染，制备高纯薄膜；另外，由于蒸发物加热面积小，因而热辐射损失减少，热效率高。
主要技术参数：
1）衬底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）衬底个数：单片或多片可选
3）沉积均匀性优于±5%@4英寸(100mm)衬底
4）衬底加热温度室温至1200℃（单片），控温精度±0.1℃，旋转速率0-30rpm
5）多种电子枪坩埚个数和容积的组合可选
6）电子束蒸发本底真空：高真空（10-8 Torr量级）或超高真空（10-10 Torr量级）可选
7）QCM膜厚在线监控
